Этот заказ уже выполнен на сервисе Автор24
На нашем сайте вы можете заказать учебную работу напрямую у любого из 45000 авторов, не переплачивая агентствам и другим посредникам. Ниже приведен пример уже выполненной работы нашими авторами!
Узнать цену на свою работу

Расчёт полупроводниковых приборов с помощью пакета программ MicroTec.

Номер заказа
131684
Создан
18 августа 2014
Выполнен
8 января 1970
Стоимость работы
5500
Помогите быстро выполнить дипломную работу по программированию. Есть буквально 7 дней. Тема работы «Расчёт полупроводниковых приборов с помощью пакета программ MicroTec. ».
Всего было
12 предложений
Заказчик выбрал автора
Этот заказ уже выполнен на сервисе Автор24
На нашем сайте вы можете заказать учебную работу напрямую у любого из 45000 авторов, не переплачивая агентствам и другим посредникам. Ниже приведен пример уже выполненной работы нашими авторами!
Узнать цену на свою работу
Или вы можете купить эту работу...
Страниц: 117
Оригинальность: Неизвестно
5500
Не подошла
данная работа?
Вы можете заказать учебную работу
на любую интересующую вас тему
Заказать новую работу

Пояснительная записка содержит 117страниц, 66 рисунков, 44 таблицы, 27 библиографических источников.
Ключевые слова: моделирование, полупроводниковый прибор, расчет полупроводниковых приборов, диод, биполярный транзистор, полевой транзистор, проектирование, САПР.
Приведены результаты исследования пакета программ моделирования полупроводниковых приборов MicroTec.
Составлено описание работы с программным комплексом, доступное для усвоения студентами в течение времени, отпущенного для курсового проектирования. Показаны возможности комплекса на примере расчета полупроводникового диода на p-n переходе, биполярного транзистора, полевого транзистора с изолированным затвором. Произведена экспериментальная проверка некоторых неоднозначно трактуемых или не описанных в учебниках элементов теории п Показать все
На современном этапе во многих отечественных вузах, в том числе и в РГРТА, расчет полупроводниковых приборов при курсовом проектировании осуществляется на основе аналитических формул. Наряду с несомненными достоинствами, такими как более глубокое понимание физических основ работы приборов, они обладают и целым рядом недостатков – малой наглядностью, особенно при расчете структуры элементов, достаточно большой погрешностью вычислений, которая обусловлена сложностью учета целого ряда физических явлений, являющимися крайне важными для работы прибора, большими затратами времени на расчет. В то же время в промышленности расчёт приборов проводят на основе САПР, ос-нованных на решении фундаментальных уравнений физики полупровод-ников. Поэтому студенты должны обладать навыками использования таки Показать все
Оглавление
РЕФЕРАТ 4
THE ABSTRACT 5
ВВЕДЕНИЕ 7
ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ТЕМЫ 9
1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ 10
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАКЕТА ПРОГРАММ MICROTEC 13
2.1. ОПИСАНИЕ ПРОГРАММЫ 15
2.2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОГРАММЫ SIDIF 25
2.3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОГРАММЫ MERGIC 52
2.3.1. АНАЛИЗ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПРОГРАММЫ MERGIC. 52
2.3.2. ОБЪЕДИНЕНИЕ СТРУКТУРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ДИОДА, ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ. 53
2.4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОГРАММЫ SEMSIM 59
2.4.1. АНАЛИЗ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПРОГРАММЫ SEMSIM. 59
2.4.2. МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ДИОДА, ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ. 64
2.5. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С ПОМОЩЬЮ 97
ПАКЕТА MICROTEC 97
3. ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 100
СОСТАВЛЕНИЕ Показать все
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Базылев В.К. Расчет биполярных транзисторов. Рязань 2004г.
2. Вихров С.П., Кобцева Ю.Н. Физика и технология полупроводниковых приборов и интегральных схем. Рязань 1994г.
3. Базылев В.К. Расчет полупроводниковых диодов. Рязань 1994г.
4. Козлов В.Н. Электронные приборы. Рязань 1994г.
5. Runge H. Distribution of implanted ions under arbitrarily shaped
mask. Phys. Stat. Sol., v.39(a), 1977г.
6. Dutton R.W., Antoniadis D.A. Models for computer simulation of
complete IC fabrication processes. IEEE Trans. Electr. Dev., v.ED-26, 1979г.
7. Maldonado C.D. ROMANS II - A two-dimensional process simulator. Appl. Phys., vol. A31, 1983г.
8. Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits. Ed. by Antognetti P., Dutton R.W. et al., Martinus Nijhoff Publishers, Показать все
эВ
Линейная энергия активации во влажном О2 при Т > ТС
Таблица 2.15
Параметры директивы Local Oxidation
Символ
Имя
Значение по умолчанию
Единицы измерения
Описание
KHI0
0.0
мкм
Каппа для птичьего клюва ориентации (100)
KHI1
1.0
мкм
Каппа для птичьего клюва ориентации (111)
DEL0
0.97
мкм
Первый коэффициент для дельты птичьего клюва.
DEL1
6.0e-4
мкм
Второй коэффициент для дельты птичьего клюва.
DEL2
0.034
мкм
Третий коэффициент для дельты птичьего клюва.
DEL3
0.49
мкм
Четвёртый коэффициент для дельты птичьего клюва.
DEL4
2.1e-4
мкм
Пятый коэффициент для дельты птичьего клюва.
DEL5
0.03
мкм
Шестой коэффициент для дельты птичьего клюва.
GAM0
0.83
Показать все
Автор24 - это фриланс-биржа. Все работы, представленные на сайте, загружены нашими пользователями, которые согласились с правилами размещения работ на ресурсе и обладают всеми необходимыми авторскими правами на данные работы. Скачивая работу вы соглашаетесь с тем что она не будет выдана за свою, а будет использована исключительно как пример или первоисточник с обязательной ссылкой на авторство работы. Если вы правообладатель и считаете что данная работа здесь размещена без вашего разрешения - пожалуйста, заполните форму и мы обязательно удалим ее с сайта. Заполнить форму
Оценим бесплатно
за 10 минут
Эта работа вам не подошла?
У наших авторов вы можете заказать любую учебную работу от 200 руб.
Оформите заказ и авторы начнут откликаться уже через 10 минут!
Заказать дипломную работу