Автор24

Информация о работе

Подробнее о работе

Страница работы

Интегральные устройства радиоэлектроники

  • 26 страниц
  • 2014 год
  • 247 просмотров
  • 0 покупок
Автор работы

EkaterinaKonstantinovna

Большой опыт в написании работ, очень давно работаю на этом ресурсе, выполнила более 15000 заказов

660 ₽

Работа будет доступна в твоём личном кабинете после покупки

Гарантия сервиса Автор24

Уникальность не ниже 50%

Фрагменты работ

Введение.

Интегральные устройства – это конструктивно законченные микро-электронные изделия, выполняющие определенные функции преобразования информации, содержащие некоторое количество электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.д.), изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные устройства изготавливают групповым методом по материалосберигающей технологии, тиражирую одновременно в одной партии от нескольких десятков до нескольких десятков тысяч микросхем. По конструктивно–технологическому принципу они делятся на три группы: полупроводниковые, пленочные и гибридные.
В полупроводниковой интегральной микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки.
В пленочной интегральной микросхеме все элементы и соединения между ними выполняются в виде пленок. В настоящее время методом пленочной технологии изготавливают только пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и индуктивности. В зависимости от толщины пленки и способа создания элементов пленочные микросхемы делят на тонко– и толстопленочные. К первому типу относятся микросхемы толщина пленки, в которых не превышает 1 мкм, а толщина пленки в толстопленочной микросхеме составляет 10…70 мкм.
В гибридных интегральных схемах в качестве активных элементов ис-пользуются навесные дискретные полупроводниковые приборы или полу-проводниковые интегральные микросхемы, а в качестве пассивных элемен-тов используют пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности и со-единяющие их пленочные проводники.
По функциональному назначению микросхемы подразделяются на аналоговые и цифровые. Если микросхема предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретных функций, то она называется цифровой (логической). К аналоговым устройствам относятся микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В частном случае аналоговые микросхемы для преобразования и обработки сигналов, изменяющегося линейно, называют линейными.
По степени интеграции микросхемы делятся на:
малые интегральные схемы (МИС) – это схемы 1…2 степени интегра-ции, в состав которых входят один или несколько видов функциональных аналоговых или логических элементов (логические элементы И, ИЛИ, НЕ, триггеры, усилители, фильтры и т.д.);
средние интегральные схемы (СИС) – схемы 2…3 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько одинаковых функциональных узлов электронных устройств (регистр, дешифратор, счетчик, постоянно запоминающие устройство);
большие интегральные схемы (БИС) схемы 3…4 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько функциональных устройств (арифметико–логическое устройство, оперативное запоминающие устройство и т.д.)
сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) – это интегральные схемы 5…7 степени интеграции, представляющие собой законченные микроэлек-тронные изделия, способные выполнять функции аппаратуры (однокристальные ЭВМ, микропроцессоры).
В настоящее время промышленность выпускает множество серий интегральных устройств. Каждая из этих серий характеризуется следующими параметрами: быстродействие (задержка переключения); потребляемая мощность, произведение мощности на время задержки, запас помехоустойчивости, коэффициент разветвления по выходу, требования к напряжению питания, диапазон рабочих температур, плотность размещения элементов на кристалле, степень интеграции, стоимость и др.

Содержание.

Введение. 3
Задание. 5
Анализ задания. 7
Расчетная часть. 8
Расчет порогового напряжения МОП транзисторов. 8
Расчет выходных характеристик управляющего транзистора. 11
МОП транзисторы в качестве нагрузочного элемента. 13
Передаточная характеристика инвертора. 17
Время переключения инвертора. 19
Вывод. 25
Библиографический список. 26

Вывод.

На основании данных расчетов делаем вывод, что максимальное время задержки – это время заряда емкости нагрузки при закрытом управляющем транзисторе.
Разряд емкости через управляющий транзистор происходит существенно быстрее, чем заряд через нагрузочный транзистор, так как соотношение геометрических параметров выбрано таким образом, чтобы сопротивление канала нагрузочного транзистора значительно превышало сопротивление открытого канала управляющего транзистора.
При этом остаточное напряжение на управляющем транзисторе u0 будет минимально, а логический размах передаточной характеристики – максимальным.

Библиографический список.

1. Угрюмов Е.П.«Цифровая схемотехника»-СПб.:БВХ–Петербург, 2004.
2. Красников Г.Я. «Конструктивно – технологические особенности субмикронных МОП – транзисторов». В 2-х частях. – М.: Техносфера, 2004.
3. Конструирование аппаратуры на БИС и СБИС / под редакцией Б.Ф. Высоцкого, В.Н. Сретенского. – М.: Радио и связь, 1989.
4. Цветов В.П. «Современные методы конструирования и технологии радиоэлектронных средств». Письменные лекции. – СПб.: СЗТУ, 2005. – 48 с.
5. Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1: учебно-методический комплекс / сост. В.П. Цветов. - СПб.: Изд-во СЗТУ, 2009. –145 с.

Форма заказа новой работы

Не подошла эта работа?

Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

Согласен с условиями политики конфиденциальности и  пользовательского соглашения

Фрагменты работ

Введение.

Интегральные устройства – это конструктивно законченные микро-электронные изделия, выполняющие определенные функции преобразования информации, содержащие некоторое количество электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.д.), изготовленных в едином технологическом цикле. Интегральные устройства изготавливают групповым методом по материалосберигающей технологии, тиражирую одновременно в одной партии от нескольких десятков до нескольких десятков тысяч микросхем. По конструктивно–технологическому принципу они делятся на три группы: полупроводниковые, пленочные и гибридные.
В полупроводниковой интегральной микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполняются в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки.
В пленочной интегральной микросхеме все элементы и соединения между ними выполняются в виде пленок. В настоящее время методом пленочной технологии изготавливают только пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и индуктивности. В зависимости от толщины пленки и способа создания элементов пленочные микросхемы делят на тонко– и толстопленочные. К первому типу относятся микросхемы толщина пленки, в которых не превышает 1 мкм, а толщина пленки в толстопленочной микросхеме составляет 10…70 мкм.
В гибридных интегральных схемах в качестве активных элементов ис-пользуются навесные дискретные полупроводниковые приборы или полу-проводниковые интегральные микросхемы, а в качестве пассивных элемен-тов используют пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности и со-единяющие их пленочные проводники.
По функциональному назначению микросхемы подразделяются на аналоговые и цифровые. Если микросхема предназначена для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретных функций, то она называется цифровой (логической). К аналоговым устройствам относятся микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В частном случае аналоговые микросхемы для преобразования и обработки сигналов, изменяющегося линейно, называют линейными.
По степени интеграции микросхемы делятся на:
малые интегральные схемы (МИС) – это схемы 1…2 степени интегра-ции, в состав которых входят один или несколько видов функциональных аналоговых или логических элементов (логические элементы И, ИЛИ, НЕ, триггеры, усилители, фильтры и т.д.);
средние интегральные схемы (СИС) – схемы 2…3 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько одинаковых функциональных узлов электронных устройств (регистр, дешифратор, счетчик, постоянно запоминающие устройство);
большие интегральные схемы (БИС) схемы 3…4 степени интеграции, в состав которых входят один или несколько функциональных устройств (арифметико–логическое устройство, оперативное запоминающие устройство и т.д.)
сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) – это интегральные схемы 5…7 степени интеграции, представляющие собой законченные микроэлек-тронные изделия, способные выполнять функции аппаратуры (однокристальные ЭВМ, микропроцессоры).
В настоящее время промышленность выпускает множество серий интегральных устройств. Каждая из этих серий характеризуется следующими параметрами: быстродействие (задержка переключения); потребляемая мощность, произведение мощности на время задержки, запас помехоустойчивости, коэффициент разветвления по выходу, требования к напряжению питания, диапазон рабочих температур, плотность размещения элементов на кристалле, степень интеграции, стоимость и др.

Содержание.

Введение. 3
Задание. 5
Анализ задания. 7
Расчетная часть. 8
Расчет порогового напряжения МОП транзисторов. 8
Расчет выходных характеристик управляющего транзистора. 11
МОП транзисторы в качестве нагрузочного элемента. 13
Передаточная характеристика инвертора. 17
Время переключения инвертора. 19
Вывод. 25
Библиографический список. 26

Вывод.

На основании данных расчетов делаем вывод, что максимальное время задержки – это время заряда емкости нагрузки при закрытом управляющем транзисторе.
Разряд емкости через управляющий транзистор происходит существенно быстрее, чем заряд через нагрузочный транзистор, так как соотношение геометрических параметров выбрано таким образом, чтобы сопротивление канала нагрузочного транзистора значительно превышало сопротивление открытого канала управляющего транзистора.
При этом остаточное напряжение на управляющем транзисторе u0 будет минимально, а логический размах передаточной характеристики – максимальным.

Библиографический список.

1. Угрюмов Е.П.«Цифровая схемотехника»-СПб.:БВХ–Петербург, 2004.
2. Красников Г.Я. «Конструктивно – технологические особенности субмикронных МОП – транзисторов». В 2-х частях. – М.: Техносфера, 2004.
3. Конструирование аппаратуры на БИС и СБИС / под редакцией Б.Ф. Высоцкого, В.Н. Сретенского. – М.: Радио и связь, 1989.
4. Цветов В.П. «Современные методы конструирования и технологии радиоэлектронных средств». Письменные лекции. – СПб.: СЗТУ, 2005. – 48 с.
5. Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1: учебно-методический комплекс / сост. В.П. Цветов. - СПб.: Изд-во СЗТУ, 2009. –145 с.

Купить эту работу

Интегральные устройства радиоэлектроники

660 ₽

или заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 500 ₽

Гарантии Автор24

Изображения работ

Страница работы
Страница работы
Страница работы

Понравилась эта работа?

или

19 сентября 2014 заказчик разместил работу

Выбранный эксперт:

Автор работы
EkaterinaKonstantinovna
4.6
Большой опыт в написании работ, очень давно работаю на этом ресурсе, выполнила более 15000 заказов
Купить эту работу vs Заказать новую
0 раз Куплено Выполняется индивидуально
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что уровень оригинальности работы составляет не менее 40%
Уникальность Выполняется индивидуально
Сразу в личном кабинете Доступность Срок 1—6 дней
660 ₽ Цена от 500 ₽

5 Похожих работ

Курсовая работа

Ваттметр постоянного тока

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Курсовая работа

Электронная коммерция

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
450 ₽
Курсовая работа

Расчет частотных и переходных характеристик линейных цепей

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Курсовая работа

Электромагнитные и электромеханические переходные процессы в электрических системах

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
490 ₽
Курсовая работа

курсовая работа по системам электроснабжения

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
490 ₽

Отзывы студентов

Отзыв Дмитрий об авторе EkaterinaKonstantinovna 2015-03-13
Курсовая работа

Спасибо за работу! Выручили! Надеюсь на дальнейшее сотрудничество!

Общая оценка 5
Отзыв Георгий Букин об авторе EkaterinaKonstantinovna 2015-12-04
Курсовая работа

Все отлично, спасибо автору!

Общая оценка 5
Отзыв krasrabota об авторе EkaterinaKonstantinovna 2019-08-13
Курсовая работа

сложнейшая работа выполнена на отлично

Общая оценка 5
Отзыв Иван Петлюк об авторе EkaterinaKonstantinovna 2015-05-22
Курсовая работа

Оперативно и качественно. Доволен

Общая оценка 5

другие учебные работы по предмету

Готовая работа

Опасность применения умных устройств

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
4500 ₽
Готовая работа

Анализ композитных материалов на основе карбида вольфрама для создания наноструктурированных электродов

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
650 ₽
Готовая работа

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЯДРА SCALE-2 ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ДРАЙВЕРОВ IGBT-МОДУЛЕЙ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
800 ₽
Готовая работа

Схема защит трансформатора на постоянном оперативном токе

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
100 ₽
Готовая работа

чертёж АВР 0,4кв

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
100 ₽
Готовая работа

Первичная схема ПС 110/10кВ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
63 ₽
Готовая работа

Чертеж

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
4700 ₽
Готовая работа

Оперативная схема ЛИНИЙ ПС

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
150 ₽
Готовая работа

Чертеж асинхронного двигателя с короткозамкнутым ротором

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
500 ₽
Готовая работа

Эл.схема

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
650 ₽
Готовая работа

Чертежи КТП 10/0,4 кВт

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
200 ₽
Готовая работа

Чертеж по Схемотехнике. Реверсивный двоичный 31-разрядный счетчик

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1100 ₽