Автор24

Информация о работе

Подробнее о работе

Страница работы

Бинарные проводники AIIIBV : GaAs

  • 19 страниц
  • 2016 год
  • 147 просмотров
  • 0 покупок
Автор работы

EkaterinaKonstantinovna

Большой опыт в написании работ, очень давно работаю на этом ресурсе, выполнила более 15000 заказов

224 ₽

Работа будет доступна в твоём личном кабинете после покупки

Гарантия сервиса Автор24

Уникальность не ниже 50%

Фрагменты работ

Введение
Мировая электроника, как инструмент энергетики, развивается по трём основным направлениям: температура, скорость и мощность.
Возможности полупроводников далеко не исчерпаны, хотя исследования ведутся широким фронтом.
Требования к рабочей температуре серийных электронных компонентов постоянно растет. Ожидается, что в 2018–2020 гг. рабочая температура достигнет значений до 600С на AIIIBV,а частотный диапазон в полупроводниковой электронике в текущем десятилетии резко расширится до миллиарда терагерц.
Уже созданы экспериментальные образцы лазерных излучателей на основе AIIIBV с фантастическими значениями генерации импульсной мощности до 1023 Вт/см2 (за 10–14 с, да ещё в придачу с миллионами атмосфер давления).
Одним из перспективных материалов в этих направлениях является арсенид галлия (GaAs).





Оглавление
Введение 3
1.Бинарные полупроводники АIIIВV 4
2. Свойства GaAs 5
3.Примеси в полупроводниках GaAs 11
4. Получение и маркировка 15
5.Применение 17
Заключение 18
Список использованной литературы 19


Заключение
Полупроводник GaAs является третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Некоторые свойства GaAs превосходят свойства кремния. Например, арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц. Приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности по сравнению с Si. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).
Хотя изготовление полупроводников на основе GaAsимееет свои трудности, этот материал является очень перспективным и обладает большими возможностями.

Список использованной литературы
1. И. А. Случинская, Основы материаловедения и технологии полупроводников, Москва — 2002
2. Рябцев Н. Г. Материалы квантовой электроники. М. «Советское радио», 1972, 384 с.
3. “Материалы Электронной Техники" В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4. Материал из Мегаэнциклопедии Кирилла и Мефодия
5. Shao-Heng C., Ming-Long F., Pin S. Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach // Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. 2013. Vol. 60, № 4. P. 1485–1489.
6. Obata T. et al. Photoluminescence of nearly stoichiometric LT-GaAs and LT-GaAs/AlAs MQW // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 228. P. 112–116. 4. Mikulics M. et al. Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates // Ieee Photonics Technol. Lett. 2005. Vol. 17, № 8. P. 1725–1727.



Форма заказа новой работы

Не подошла эта работа?

Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям

Согласен с условиями политики конфиденциальности и  пользовательского соглашения

Фрагменты работ

Введение
Мировая электроника, как инструмент энергетики, развивается по трём основным направлениям: температура, скорость и мощность.
Возможности полупроводников далеко не исчерпаны, хотя исследования ведутся широким фронтом.
Требования к рабочей температуре серийных электронных компонентов постоянно растет. Ожидается, что в 2018–2020 гг. рабочая температура достигнет значений до 600С на AIIIBV,а частотный диапазон в полупроводниковой электронике в текущем десятилетии резко расширится до миллиарда терагерц.
Уже созданы экспериментальные образцы лазерных излучателей на основе AIIIBV с фантастическими значениями генерации импульсной мощности до 1023 Вт/см2 (за 10–14 с, да ещё в придачу с миллионами атмосфер давления).
Одним из перспективных материалов в этих направлениях является арсенид галлия (GaAs).





Оглавление
Введение 3
1.Бинарные полупроводники АIIIВV 4
2. Свойства GaAs 5
3.Примеси в полупроводниках GaAs 11
4. Получение и маркировка 15
5.Применение 17
Заключение 18
Список использованной литературы 19


Заключение
Полупроводник GaAs является третьим по масштабам использования в промышленности после кремния и германия.
Некоторые свойства GaAs превосходят свойства кремния. Например, арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц. Приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности по сравнению с Si. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах, некоторых радарных системах. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые, что обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе).
Хотя изготовление полупроводников на основе GaAsимееет свои трудности, этот материал является очень перспективным и обладает большими возможностями.

Список использованной литературы
1. И. А. Случинская, Основы материаловедения и технологии полупроводников, Москва — 2002
2. Рябцев Н. Г. Материалы квантовой электроники. М. «Советское радио», 1972, 384 с.
3. “Материалы Электронной Техники" В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4. Материал из Мегаэнциклопедии Кирилла и Мефодия
5. Shao-Heng C., Ming-Long F., Pin S. Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach // Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Trans. 2013. Vol. 60, № 4. P. 1485–1489.
6. Obata T. et al. Photoluminescence of nearly stoichiometric LT-GaAs and LT-GaAs/AlAs MQW // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 228. P. 112–116. 4. Mikulics M. et al. Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates // Ieee Photonics Technol. Lett. 2005. Vol. 17, № 8. P. 1725–1727.



Купить эту работу

Бинарные проводники AIIIBV : GaAs

224 ₽

или заказать новую

Лучшие эксперты сервиса ждут твоего задания

от 200 ₽

Гарантии Автор24

Изображения работ

Страница работы
Страница работы
Страница работы

Понравилась эта работа?

или

25 июля 2017 заказчик разместил работу

Выбранный эксперт:

Автор работы
EkaterinaKonstantinovna
4.6
Большой опыт в написании работ, очень давно работаю на этом ресурсе, выполнила более 15000 заказов
Купить эту работу vs Заказать новую
0 раз Куплено Выполняется индивидуально
Не менее 40%
Исполнитель, загружая работу в «Банк готовых работ» подтверждает, что уровень оригинальности работы составляет не менее 40%
Уникальность Выполняется индивидуально
Сразу в личном кабинете Доступность Срок 1—4 дня
224 ₽ Цена от 200 ₽

5 Похожих работ

Реферат

Элементарные частицы. Их виды

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Реферат

Использование радиоизотопов в технологии и медицине

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
300 ₽
Реферат

Лазерные источники оптического излучения

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
250 ₽
Реферат

Типы ядерных реакций. Их характеристика

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
280 ₽
Реферат

Черные дыры во вселенной

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
280 ₽

Отзывы студентов

Отзыв Raze об авторе EkaterinaKonstantinovna 2017-02-20
Реферат

Благодарю за реферат по физике, качественно и в срок)

Общая оценка 5
Отзыв эколог об авторе EkaterinaKonstantinovna 2014-12-17
Реферат

Работа сдана досрочно. Автором доволен. Рекомендую.

Общая оценка 5
Отзыв Алексей Михайлов об авторе EkaterinaKonstantinovna 2017-04-29
Реферат

Благодарю за прекрасную работу! Спасибо!

Общая оценка 5
Отзыв Констант69 об авторе EkaterinaKonstantinovna 2015-06-16
Реферат

отлично

Общая оценка 5

другие учебные работы по предмету

Готовая работа

Исследование зависимости интенсивности люминесценции пленок оксида цинка от уровня фотовозбуждения при наличии поверхностного плазмонного резонанса.

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1500 ₽
Готовая работа

СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫХ НАНОМАРКЕРОВ СЕМЕЙСТВА ФЛУОРЕСЦЕИНА С АЛЬБУМИНОМ ЧЕЛОВЕКА

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2000 ₽
Готовая работа

«Влияние адсорбции ионов на электропроводность приземного слоя атмосферы»

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
350 ₽
Готовая работа

Измерение температуры

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
800 ₽
Готовая работа

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЗОЛОТЫХ И СМЕШАННЫХ Au-Co НАНОКОНТАКТОВ И НАНОПРОВОДОВ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2000 ₽
Готовая работа

ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ФЛУКТУАЦИЙ ЭКСИТОННЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МИКРОРЕЗОНАТОРЕ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1000 ₽
Готовая работа

Методика обучения законам сохранения в курсе физики средней школы

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2800 ₽
Готовая работа

Линии предачи СВЧ

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1500 ₽
Готовая работа

Исследование и выбор способов прокладки оптических кабелей при строительстве ВОЛС

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2240 ₽
Готовая работа

Магнитогидродинамические волны в плазме

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2800 ₽
Готовая работа

ДИПЛОМНАЯ РАБОТА «Измерительный прибор на базе ARDUINO UNO» 70% ап.вуз

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
1700 ₽
Готовая работа

Разработка вибратора для возбуждения колебательных деталей

Уникальность: от 40%
Доступность: сразу
2240 ₽