Все выполнено в срок и согласно всем требованиям
Информация о работе
Подробнее о работе
Гетеротранзисторы
- 22 страниц
- 2014 год
- 250 просмотров
- 1 покупка
Гарантия сервиса Автор24
Уникальность не ниже 50%
Фрагменты работ
Структуры с квантовыми точками (КТ) являются перспективными для создания компонентов лазерной техники, транзисторов, диодов, спиновой памяти и т.д. . Экспериментальные данные тестовых структур и теоретические предпосылки создания полевых гетеротранзисторов со встроенными КТ приведены в работах. Показано, что в таких транзисторах наблюдался значительный рост дрейфовой скорости носителей заряда в канале. Однако, представленные теоретические описания таких приборов не содержат качественного и количественного описания распределения характеристик носителей в объеме транзисторной структуры. В данной работе приводятся алгоритм и результаты двумерного моделирования субмикронного гетеротранзистора с КТ на основе соединений типа AIIIBV. При моделировании использовалась система релаксационных уравнений, решение которой находится в приближении времени релаксации импульса и энергии и учитывает вклад различных механизмов рассеяния носителей заряда в моделируемой структуре.
Введние………………………………………………………………….3
Гетеротранзисторы с резонансным туннелированием……………….5
Гетеротранзисторы трех типов рассмотрены в этой работе
Список литературы
1. Щука А.А. Наноэлектроника, М., Физматкнига, 2007 г. , 465 с.
2. Ковалев А.Н. Гетероструктурная наноэлектроника М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. 155 с.
Форма заказа новой работы
Не подошла эта работа?
Закажи новую работу, сделанную по твоим требованиям
