Создан заказ №2022738
4 мая 2017
ФОЭ
Как заказчик описал требования к работе:
Физические основы электроники. Тема:Физические процессы в контактах полупроводников с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы).
Зонная диаграмма гетероперехода, образование скачков и разрывов в диаграмме и их влияние на движение носителей через переход.
Фрагмент выполненной работы:
Введение
Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников.
Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — GaAs и его твердого раствора с AlAs -- AlxGa1-xAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlxGa1-xAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.
Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. (работа была выполнена специалистами Автор 24) Комбинируя различные полупроводники, можно создать и другие интересные структуры: сверхрешётки, структуры с множественными квантовыми ямами. Если полупроводники обладают различными постоянными решётки, то возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точкамиПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией, чтобы исполнитель повысил уникальность работы
5 мая 2017
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
ФОЭ.docx
2017-05-08 14:07
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Благодарю лично, спраздником! Очень хороший автор выполняет задания в срок, всем рекомендую!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
